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Indium antimonide | InSb

锑化铟 | 高纯锑化铟 | Purity: > 99.999%

产品编号: SD-I838606 CAS 号: 1312-41-0 纯度: 99.999%;锑化铟晶体呈银色、质脆,为闪锌矿结构.晶格常数为6.48Å,是一种直接带隙材料,其禁带宽度较窄,为0.18eV,而电子迁移率高达7800cm2/V·s。应用方向:1. 红外探测器、红外光电二极管和红外LED。 2. 热电材料,可将热能转化为电能。用于各种电子设备的废热、制冷和温度控制发电。 3. 光电器件,如红外激光器和光电探测器。4. 高速晶体管,特别是那些需要高频操作的电子设备。5. 用于与半导体物理、光电子学和材料科学相关的各种实验和研究。6.热成像系统、夜视设备、制导系统、用于诊断目的的红外成像系统。

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I838606-1g粉末 420 存货
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I838606-5g粉末 1280 存货
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I838606-5g块体 1200 存货
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I838606-25g粉末 4700 存货
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I838606-25g块体 4500 存货
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技术参数 相关产品
别名: 锑化锑InSb是以6N 7N高纯铟和锑元素为原料,采用VGF法或液包直直LEC法制备的具有闪锌矿晶格结构的III-V族晶态化合物的半导体,由多区精制多晶锭制备成晶片和块状结构。InSb是一种直接过渡半导体,在室温下具有0.17eV的窄禁带,对1–5μm波长具有高灵敏度和超高霍尔迁移率。锑化铟是生产许多先进组件和设备的理想基板之一,例如先进的热成像解决方案、FLIR系统、霍尔元件和磁阻效应元件、红外制导导弹制导系统、高响应红外光电探测器传感器、高精度磁性和旋转电阻率传感器、焦平面阵列,也适用于太赫兹辐射源和红外天文空间望远镜等。
MDL No.: MFCD00016146
分子式: InSb
分子量: 236.58
贮存: 室温

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    1312-41-0
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