Germanium(III) nitride - 无机金属

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Germanium(III) nitride

氮化锗(III) | 四氮化三锗

产品编号: SR-G855514 CAS 号: 12065-36-0 纯度: 99.9%，浅灰色粉末。Ge3N4都属于半导体,具有耐腐蚀、硬度高、可调带隙等优点。Ge原子和N原子之间存在明显的s-p杂化现象，当压强增大时诱发离域电子,从而使带隙减小。【研究与应用】：半导体场效应晶体管中用作栅极介电膜，锗基半导体器件的钝化层。锗拥有较高载流子迁移率，其薄膜可以钝化锗表面，减少界面缺陷，用于高电子迁移率晶体管（HEMT）；氮化锗具有宽禁带和良好的折射率，可用作红外光谱中组件的光学涂层、发光二极管材料、抗反射层；高温结构材料。

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技术参数相关产品

别名:	氮化锗（Ge3N4）粉末，不溶于水，不与大多数无机酸发生反应，700°C时可被氢气还原，氢气在850°C时与氧气反应，在600~700°C时与氯气反应。光电子学和光子学：该化合物的宽禁带和良好的折射率使其成为光学应用的有效材料。它被用作红外光谱中组件的光学涂层，并显示出发光二极管等短波长光电器件的潜力。储能与转换：该化合物已成为锂离子电池（LIB）的一种有前途的负极材料。与其他材料相比，它具有较高的理论充电能力。此外，正在研究利用 Ge₃N₄ 作为有效的非氧化物光催化剂，用于水分解制氢等应用。
MDL No.:	MFCD00016118
分子式:	Ge₃N₄
分子量:	273.95
熔点:	>850°C (dec.)(lit.)
贮存:	室温,干燥