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Gallium(III) selenide

硒化镓 | 三硒化二镓

产品编号: SA-G860769 CAS 号: 12024-24-7 纯度: 99.999+% metals basis,红黑色粉末,200目,对空气和水分敏感,高毒。Ga₂Se₃具有直接带隙半导体特性,红外透明性,较高载流子迁移率潜力,晶格中存在有序或随机空位,可用于调控电学和光学性能。【研究与应用方向】:III-VI 族半导体、光电探测器、薄膜太阳能电池、高频电子器件;红外光学元件、红外探测、红外透镜、窗口、棱镜、传感器、光谱元件;量子材料,陶瓷添加剂,热电转换研究。

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G860769-5g ¥ 650 存货
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G860769-25g ¥ 1820 存货
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G860769-100g ¥ 5800 存货
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技术参数 相关产品
别名: Ga₂Se₃具有直接带隙半导体特性:直接带隙室温下约 1.85–1.96 eV有利于光吸收、发光和光电转换。 红外透明性:适合红外光学元件和红外探测。 较高载流子迁移率潜力:有利于高性能光电探测器。 缺陷结构可调控性:其晶格中存在有序或随机空位,可用于调控电学和光学性能。
MDL No.: MFCD00016103
分子式: Ga2Se3
分子量: 376.33
贮存: 室温、干燥、密闭、惰性气氛下加锁存放,远离火源和不相容物质,防止氧化和受潮,在通风橱或良好通风处操作,避免产生粉尘,佩戴防护手套、护目镜和呼吸防护装备,操作后彻底洗手。

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