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Silicon carbide | Nano Silicon Carbide Powder | SiC
立方碳化硅 | 纳米碳化硅 | 贝塔碳化硅 | β-SiC, Beta, Purity: 99.9%, APS: 30 nm、40 nm、50 nm、100 nm、200 nm
产品编号: SD-S817587 CAS 号: 409-21-2 纯度: 99.9% metals basis,多粒径选择。β-SiC采用微热源法制备，立方晶型，由碳原子和硅原子的三角星（结构）组成，晶体晶格中具有很强的键。这会产生非常坚硬和坚固的材料。碳化硅不会受到任何酸、碱或高达 800°C 的熔融盐的攻击。 在空气中，SiC 在 1200°C 下形成保护性氧化硅涂层，可在 1600°C 下使用。 高导热性加上低热膨胀和高强度，碳化硅制品具有耐高温、耐磨、耐热震、耐化学腐蚀、耐辐射和良好的导电性、导热性等特殊性能。
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