Gallium acetylacetonate - 电子材料

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Gallium acetylacetonate

乙酰丙酮镓(III)

产品编号: SA-G810459 CAS 号: 14405-43-7 纯度: 99.99+% metals basis，类白色微晶粉末，单斜晶系。溶于乙醇、丙酮、甲苯等有机溶剂，在200–300 ℃区间热分解释放镓，是理想的高纯度镓源前驱体。【应用领域】：超宽禁带半导体与光电器件薄膜沉积，制备氧化镓（Ga₂O₃）和氮化镓（GaN）薄膜，新能源与催化，纳米材料与量子点，分子影像与抗肿瘤研究。

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别名:	乙酰丙酮镓是理想的薄膜沉积前驱体：用于化学气相沉积和原子层沉积，制备Ga₂O₃和GaN薄膜。其非自燃特性和约300°C的分解温度，提供了宽广的ALD窗口，能形成致密、低碳的薄膜，相比传统三甲基镓，显著简化了反应器设计并提高了安全性。用于钙钛矿太阳能电池界面工程：直接将Ga(acac)₃掺入空穴传输层，可自发与钙钛矿层表面相互作用，降低界面复合损失，PSC的功率转换效率可从17.7%显著提升至24.6%，并在85%相对湿度下，未封装器件在2000小时内保持完整初始性能，展现出优异的水分稳定性。作为高效电催化剂合成前驱体，可通过热溶剂法合成高效的镓-铂（GaPt₃）纳米粒，用作析氢反应的电催化剂。量子点合成：用于制备GaAs、GaP和GaInP量子点。作为前驱体合成氧化镓尖晶石纳米晶体、γ-Ga₂O₃纳米晶体及Ga₂O₃纳米管，应用于光催化、电池正极材料和电子传输层等。分子影像与抗肿瘤研究：利用镓-68（⁶⁸Ga）标记的Ga(acac)₃可用于正电子发射断层扫描（PET）的分子影像。此外，Ga(acac)₃负载的纳米粒子在抗肿瘤疗效研究中显示出潜力。
MDL No.:	MFCD00013492
分子式:	C₁₅H₂₁O₆Ga
分子量:	367.05
沸点:	140°C 10mm
熔点:	196-198 °C (dec.)(lit.)
贮存:	密闭避光，通风干燥保存，远离热源、氧化剂和过氧化物。防护：佩戴手套、护目镜/面罩和防尘口罩。

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