材料科学
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材料科学涵盖了金属、非金属无质材料、高分子材料、陶瓷、聚合物和复合材料。新材料已经成为经济增长、财富与贸易的制高点！中国与西方在智能制造和材料科学领域的竞争将日趋激烈。中国政府的政策支持，大量企业的更多投入，将不断促进我国材料科学发展、突破、直到超越。拓谱的使命是把研发和高端制造的基础材料提供给市场，拓谱新材料涵盖基础原料、稀有材料、高端材料、特种材料。
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Boron carbide碳化硼T陶瓷定制CAS 号: 12069-32-8
MDL No.: MFCD00011520
产品编号: SD-B802550
分子式: CB4
分子量: 55.25
纯度: -200目,97%
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Boron carbide碳化硼 金属基CAS 号: 12069-32-8
MDL No.: MFCD00011520
产品编号: B803404
分子式: CB4
分子量: 55.25
纯度: 99.9% metals basis,2-3μm
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Silicon carbide碳化硅 | 金刚砂 | 硅碳化物 | (SiC, Beta, Purity: 99.9%, APS: 1um、3um、5um、8um、20um、45um、100um)CAS 号: 409-21-2
MDL No.: MFCD00049531
产品编号: SD-S817586
分子式: SiC
分子量: 40.1
纯度: 99.9%,α相,β相。可提供1微米-100微米多规格选择。应用方向：避雷器阀体、硅碳电热元件、远红外线发生器、半导体材料、增强金属和陶瓷的增强材料。
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Silicon carbide碳化硅CAS 号: 409-21-2
MDL No.: MFCD00049531
产品编号: S817584
分子式: SiC
分子量: 40.1
纯度: 99.9% metals basis
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High Purity Tellurium | Te碲粒 | 碲珠 | 碲丸 | 碲颗粒CAS 号: 13494-80-9
MDL No.: MFCD00134062
产品编号: SD-T819330
分子式: Te
分子量: 127.6
纯度: 99.999+% ,2-3mm 。碲颗粒是一种半金属，银色，易碎，微毒。应用方向：紅外線檢測器的材料，太陽能電池材料和冷卻材料，陶瓷、玻璃的着色剂、橡胶的硫化剂、石油裂化催化剂等，也用于制备癸烷和合金。碲也用于电子工业，例如与镉和汞一起形成光敏半导体。碲化镉 （CdTe） 用作太阳能电池板中的薄膜，将太阳光转化为电能。
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Tellurium Granule | Te5N碲粒 | 碲块体 | 高纯碲 | APS:1-4mmCAS 号: 13494-80-9
MDL No.: MFCD00134062
产品编号: SD-T819329
分子式: Te
分子量: 127.6
纯度: 99.999+% metals basis；碲是一种准金属，银色，易碎，微毒。应用方向：紅外線檢測器的材料，太陽能電池材料和冷卻材料，陶瓷、玻璃的着色剂、橡胶的硫化剂、石油裂化催化剂等，也用于制备癸烷和合金。碲也用于电子工业，例如与镉和汞一起形成光敏半导体。碲化镉 （CdTe） 用作太阳能电池板中的薄膜
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Tellurium Granule | Te碲珠 | 碲丸 | 高纯碲粒 | 5N碲CAS 号: 13494-80-9
MDL No.: MFCD00134062
产品编号: SD-T819328
分子式: Te
分子量: 127.6
纯度: 99.999+% metals basis, 直径0.5-2mm；准金属元素,脆性、有光泽的银色晶体，有微毒。应用方向：紅外線檢測器的材料，太陽能電池材料和冷卻材料，陶瓷、玻璃的着色剂、橡胶的硫化剂、石油裂化催化剂等，也用于制备癸烷和合金。碲也用于电子工业，例如与镉和汞一起形成光敏半导体。碲化镉 （CdTe） 用作太阳能电池板中的薄膜
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Tellurium碲 | 碲粉 | 金属碲 | 高纯碲粉 | APS: 45um,75umCAS 号: 13494-80-9
MDL No.: MFCD00134062
产品编号: SD-T819327
分子式: Te
分子量: 127.6
纯度: 99.99+% metals basis。采用真空球磨生产的高纯碲粉，杂质含量<150ppm和低氧含量。Te及其化合物表现出出色的抗氧化活性,碲是半导体材料之一;也广泛用于方形热分析杯、铸造涂层、制冷元件、红外探测器材料。碲化合物用作电池板、存储芯片和光调制器，催化剂, 陶瓷颜料，高性能耐热橡胶。
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Gallium(II) telluride碲化镓(II)CAS 号: 12024-14-5
MDL No.: MFCD00135536
产品编号: G810668
分子式: GaTe
分子量: 197.32
纯度: 99.99% metals basis
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Manganese(IV) telluride碲化锰 | 二碲化锰 | 锰碲化物CAS 号: 12032-89-2
MDL No.: MFCD00064703
产品编号: SA-M860762
分子式: MnTe2
分子量: 310.14
纯度: 99.99% metals basis,采用真空封管固相合成，黑色粉末，黄铁矿结构，由Mn²⁺和Te₂²⁻离子构成，熔点为1170°C，常温常压下稳定，避免与碱金属接触。【研究与应用方向】：光伏电池，二维半导体材料研发，超级电容器，反铁磁与交变磁性研究。
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Tin(II) telluride碲化锡(II)
CAS 号: 12040-02-7
MDL No.: MFCD00049543
产品编号: T836045
分子式: SnTe
分子量: 246.29
纯度: 99.999% trace metals basis
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Germanium(II) telluride | GeTe碲化锗CAS 号: 12025-39-7
MDL No.: MFCD00135541
产品编号: SD-G860761
分子式: GeTe
分子量: 200.19
纯度: 99.999+% metals basis; 采用熔融复合法制备，具有半金属导电性和铁电特性。应用方向：镀膜材料和溅射靶材;热电制冷材料，用作红外光发射和检测材料，非易失性光学数据存储，如CD、DVD和蓝光，并可能取代动态和闪存随机存取存储器。掺杂碲化锗是一种低温超导体。